| RADIATION INFLUENCE ON ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF COMPLEMENTARY JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS EXPLOITED AT LOW TEMPERATURES. IY Lovshenko, VT Khanko, VR Stempitsky Materials Physics & Mechanics 39 (1), 2018 | 23 | 2018 |
| Gallium nitride high electron mobility transistor with an effective graphene-based heat removal system VS Volcheck, IY Lovshenko, VT Shandarovich, DD Ha Doklady BGUIR 18 (3), 72-80, 2020 | 9 | 2020 |
| Technology and electric characteristics of the field-effect hall sensor based on SOI structure LN Dolgyi, IY Lovshenko, VV Nelayev Russian Microelectronics 42, 368-372, 2013 | 7 | 2013 |
| Technology and device design and optimization for the MOSFET hall sensor on SOI structure L Dolgiy, I Lovshenko, V Nelayev, I Shelibak, S Shvedov, A Turtsevich Proceedings of the 19th International Conference Mixed Design of Integrated …, 2012 | 4 | 2012 |
| Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов с эффективной системой теплоотвода на основе графена ВС Волчёк, ИЮ Ловшенко, ВТ Шандарович, ХД Динь Доклады Белорусского государственного университета информатики и …, 2020 | 2 | 2020 |
| Physic-topological (electrical) model of a junction field effect transistor, taking into account the degradation of operational characteristics under the influence of … IY Lovshenko, VT Khanko, VR Stempitsky EDP Sciences, 2019 | 2 | 2019 |
| Физико-топологическая модель полевого транзистора, учитывающая деградацию эксплуатационных характеристик при влиянии ионизирующего излучения ИЮ Ловшенко, ВР Стемпицкий, ВТ Шандарович Инфокоммуникационные и радиоэлектронные технологии 2 (4), 466-475, 2019 | 2 | 2019 |
| Приборы силовой электроники и оптоэлектроники на основе SiC и GaN АМ Боровик, ИЮ Ловшенко Секция 2 МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ И КОМПЬТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ В ФИЗИКЕ …, 2015 | 2 | 2015 |
| Комплементарная методология формирования IGBT-структуры с высоким напряжением ИЮ Ловшенко, ВР Стемпицкий, АС Турцевич Электроника инфо, 23-26, 2013 | 2 | 2013 |
| Проектирование IGBT-прибора высокого быстродействия ИЮ Ловшенко, ВР Стемпицкий, АС Турцевич, И Шелибак Доклады Белорусского государственного университета информатики и …, 2013 | 2 | 2013 |
| //Проблемы разработки перспективных микро-и наноэлектронных систем. 2010 ОВ Дворников, ВН Гришков | 2 | 2010 |
| Разработка методов определения параметров физико-топологической модели арсенид-галлиевого транзистора с высокой подвижностью электронов ИЮ Ловшенко, ПС Кратович, ПЭ Новиков, КВ Корсак, ВР Стемпицкий Science and innovation 2 (Special Issue 3), 935-939, 2023 | 1 | 2023 |
| Влияние проникающего излучения на характеристики биполярного транзистора с изолированным затвором ИЮ Ловшенко, ЮП Снитовский, ВР Стемпицкий Минск: БГУ, 2021 | 1 | 2021 |
| Моделирование воздействия тяжелой заряженной частицы на электрические характеристики приборной структуры n-МОП-транзистора ИЮ Ловшенко, ВР Стемпицкий, ВТ Шандарович Доклады Белорусского государственного университета информатики и …, 2020 | 1 | 2020 |
| Экстракция параметров компактных моделей элементной базы интегральных микросхем специального назначения ИЮ Ловшенко, ВР Стемпицкий, ВТ Шандарович Инфокоммуникационные и радиоэлектронные технологии 2 (4), 456-465, 2019 | 1 | 2019 |
| Three-dimensional magnetometer based on hall sensors integrated in standard CMOS technology DHA Dao, VS Volchek, MS Baranava, IY Lovshenko, DC Hvazdouski, ... Doklady BGUIR, 167-171, 2016 | 1 | 2016 |
| Optimization of structural and technological parameters of the field effect Hall sensor V Volchek, I Lovshenko, V Stempitsky, DD Ha, A Belous, V Saladukha 2015 International Conference on Advanced Technologies for Communications …, 2015 | 1 | 2015 |
| Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором ВВ Баранов, АМ Боровик, ИЮ Ловшенко, ВР Стемпицкий, ЧТ Чунг, ... Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2015 | 1 | 2015 |
| Конструктивно-технологические особенности сенсорных устройств на основе широкозонных полупроводников ВС Волчёк, ДД Ха, ИЮ Ловшенко, ВР Стемпицкий Доклады Белорусского государственного университета информатики и …, 2015 | 1 | 2015 |
| IGBT on SOI. Technology and construction investigation I Lovshenko, V Nelayev, S Shvedov, V Solodukha, A Turtsevich East-West Design & Test Symposium (EWDTS 2013), 1-4, 2013 | 1 | 2013 |
Viktor StempitskyDr.Verified email at bsuir.by
